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​碳化硅相对于传统器件的优势         ★★★
​碳化硅相对于传统器件的优势
作者:OE Fan 文章来源:本站整理 点击数:306 更新时间:2016/10/17 18:32:02

 第一不是高化,因化从硅器件也基本可以实现,比如通拓扑的化或开关等。碳化硅第一优势应该是它的高特性,它可以填硅器件在1000伏特以上IGBT不足的优势化拓扑,比如把一些三dcdc传统H个在成本和用性上优势,像一些高压输EVDCDC或充,另外更高电压(6.6kV35kV等级)力系统电,现在已经Cree10kV耐压的SiC样品。

第二才是是高化,针对应用当然是首先在硬开关路上,比如BOOST MPPT。它确可以把感做小,用实现800V以上出,开关率在45khz-100khz 20kw-50KW

第三是开关路,个主要是LLC 路,由于高耐,所以可以把三LLC变为传统LLC。另外,开关LLC, 关断是硬关断,碳化硅可以减小关断耗,再来就是减小死区时间和超快体二极管,可以一步提高效率,个在EVESS用上已越来越明

 

第四点主要是它的双向通特性,个基本是MOSFET都一样,日本有用SiC MOSFET做成了Matrix Converter

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